BCR 183 E6327详细参数_参考价格_BCR 183 E6327 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR183
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR183E6327HTSA1 BCR183E6327XT SP000010794
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMTH3004LK3-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch Enh FET	1:¥7.684 10:¥6.6105 100:¥5.085 500:¥4.4974 1,000:¥3.5482 2,500:¥3.5482	参考库存:13770
DMN55D0UTQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA	1:¥3.0736 10:¥1.9436 100:¥0.83733 1,000:¥0.63732 3,000:¥0.48364	参考库存:39712
IPB50N10S3L-16	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T	1:¥11.3678 10:¥9.6841 100:¥7.7631 500:¥6.8026 1,000:¥5.6274	参考库存:7904
BSP315PH6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3	1:¥5.3788 10:¥4.4748 100:¥2.8815 1,000:¥2.3052	参考库存:1461
FF300R12KS4PHOSA1	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM	1:¥1,173.5728 5:¥1,145.3793 10:¥1,116.9485 25:¥1,101.2754	参考库存:1318