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晶体管
APT17F100B参考图片

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APT17F100B

  • Microsemi
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  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存:1,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥90.6712
90.6712
10
¥81.6086
816.086
25
¥74.3088
1857.72
50
¥69.2351
3461.755
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 W
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT17F100B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥1.7176
参考库存:6836
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 ES6 PLN
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24341
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥15.8313
10:¥13.221
25:¥10.9836
100:¥9.9892
2,000:¥6.4523
参考库存:24346
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:56748
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:24353
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