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晶体管
CSD18534KCS参考图片

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CSD18534KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4975
649.75
500
¥5.7404
2870.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
98 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18534KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.4 ns
典型接通延迟时间
4.2 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD18534KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SCH2202-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN+NPN 0.6A 15V
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
5,000:¥0.59212
参考库存:24854
APT6013B2LLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥256.6456
5:¥246.5773
10:¥237.3565
25:¥218.0674
参考库存:24859
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥43.5728
10:¥37.0414
100:¥32.0468
250:¥30.4309
500:¥27.2782
1,000:¥23.052
参考库存:9456
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:16958
DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,000:¥1.1526
参考库存:24868
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