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晶体管
BSP322PH6327XTSA1参考图片

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BSP322PH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6104
46.104
100
¥2.9719
297.19
1,000
¥2.3843
2384.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP322
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.7 S
下降时间
8.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.2 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
零件号别名
BSP322P H6327 SP001058784
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP322PH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.39211
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晶体管
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1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:12723
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad NPN/PNP
1:¥37.2674
10:¥33.2672
100:¥30.2727
250:¥27.3573
参考库存:1747
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
1:¥68.6927
10:¥68.0825
25:¥62.0144
100:¥56.0141
参考库存:2339
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