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晶体管
SSM6P41FE(TE85L,F)参考图片

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SSM6P41FE(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.72A VDSS=-20V
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.3108
131.08
1,000
¥0.9605
960.5
4,000
¥0.82264
3290.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
720 mA
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.76 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6P41FE
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
850 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，SSM6P41FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS3662
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:33812
FCX589TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10249
FQP9P25
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 250V P-Channel QFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9947
1,000:¥5.5144
参考库存:8786
PEMD19,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:21818
SIS472DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:23795
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