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晶体管
MJE182G参考图片

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MJE182G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 12.5W NPN
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.277
32.77
100
¥2.0001
200.01
1,000
¥1.5481
1548.1
2,500
¥1.3221
3305.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE182
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
680 mg
商品其它信息
优势价格，MJE182G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS223PW H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:84251
STP30N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V MDMesh
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
参考库存:6688
MMBT3640
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor PNP
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
3,000:¥2.1018
参考库存:36400
IRGP4068DPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
1:¥53.6298
10:¥48.4883
25:¥46.1831
100:¥40.115
参考库存:5207
IRLI520NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:6779
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