APT100GT60JR详细参数_参考价格_APT100GT60JR PDF资料_Microsemi

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SMUN5113DW1T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V	1:¥3.2996 10:¥2.3391 100:¥1.07576 1,000:¥0.82264 3,000:¥0.69947	参考库存:35524
SIA918EDJ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70	1:¥3.842 10:¥2.8928 100:¥2.147 500:¥1.7628 3,000:¥1.243 6,000:查看	参考库存:52176
BC847BW RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	1:¥1.921 10:¥1.7628 100:¥1.1639 1,000:¥0.39211 3,000:¥0.32318	参考库存:78378
BSC0902NSI	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS	1:¥7.8422 10:¥6.7235 100:¥5.1641 500:¥4.5652 1,000:¥3.6047 5,000:¥3.6047	参考库存:3575
NVMFS5C430NWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6-D3F 40V NFET	1:¥9.9101 10:¥8.4524 100:¥6.5201 500:¥5.763 1,500:¥4.0341 9,000:查看	参考库存:4007