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晶体管

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DMN2080UCB4-7

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
7.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
816 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
268 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1245 ns
典型接通延迟时间
152 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2080UCB4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:13924
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:25941
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:4708
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:4665
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
5,000:¥4.3166
10,000:查看
参考库存:38782
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