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晶体管
SIHH11N60E-T1-GE3参考图片

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SIHH11N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存:17,634(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.0575
200.575
100
¥16.5206
1652.06
250
¥15.9782
3994.55
3,000
¥11.526
34578
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
295 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
E
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH11N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
250:¥774.6263
参考库存:39933
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
5,000:¥10.5994
参考库存:39938
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 15 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:16246
晶体管
JFET
1:¥305.9814
5:¥289.4608
10:¥286.1499
25:¥264.6347
参考库存:39945
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥4.1245
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7742
25,000:¥3.6612
参考库存:39950
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