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晶体管
BCW30LT1G参考图片

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BCW30LT1G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 32V PNP
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数量单价合计
1
¥1.3108
1.3108
10
¥1.1639
11.639
100
¥0.4068
40.68
1,000
¥0.27685
276.85
3,000
¥0.20792
623.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCW30L
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
215
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BCW30LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:12841
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥57.0876
10:¥51.5619
25:¥49.1776
100:¥42.7253
参考库存:11038
晶体管
MOSFET NCH 0.9V DRIVE SERIE
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:70640
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 12A 0.104R
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2205
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:17792
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥30.736
10:¥26.1256
100:¥22.6678
250:¥21.5152
参考库存:5539
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