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晶体管
FQA10N80C-F109参考图片

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FQA10N80C-F109

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库存:3,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA10N80C_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
50 ns
零件号别名
FQA10N80C_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FQA10N80C-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥25.1312
10:¥20.8259
100:¥17.1308
250:¥16.5997
参考库存:9554
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:7986
晶体管
MOSFET Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥8.8366
10:¥7.6049
100:¥5.8308
500:¥5.1528
1,000:¥4.068
2,500:¥3.616
参考库存:16798
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
4,000:¥5.0059
8,000:查看
参考库存:41760
晶体管
MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
1:¥45.7989
10:¥38.8833
100:¥33.7305
250:¥31.9677
500:¥28.7359
参考库存:4527
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