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晶体管
FDT86102LZ参考图片

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FDT86102LZ

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库存:41,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
4,000
¥5.0059
20023.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Qg-栅极电荷
17 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FDT86102LZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
26 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FDT86102LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
3,000:¥34.0356
参考库存:39479
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:39484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.0626
参考库存:39489
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:39494
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:39499
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