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晶体管
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FDP2D3N10C

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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥38.8833
388.833
100
¥33.7305
3373.05
250
¥31.9677
7991.925
500
¥28.7359
14367.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
222 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
152 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FDP2D3N10C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
222 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
74 ns
典型接通延迟时间
42 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP2D3N10C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA143ZEBHZGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:48471
CSD87503Q3E
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4748
500:¥3.955
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:16403
PMV55ENEAR
Nexperia
晶体管
MOSFET PMV55ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.2996
10:¥2.4747
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
参考库存:349210
SIHA21N60EF-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥31.0411
10:¥25.7414
100:¥21.2101
250:¥20.5208
500:¥18.4416
参考库存:9372
MRFX1K80H-128MHZ
NXP Semiconductors
晶体管
射频开发工具 3500W pulse - 2 up - 128MHz
1:¥9,221.1051
参考库存:4534
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