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晶体管
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2N6491G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 80V 75W PNP
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.0284
3028.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
90 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
3.5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
5 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6491
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，2N6491G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP6300HSR5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:40178
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50:¥440.2932
100:¥408.0204
参考库存:40183
A2T18H450W19SR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,543.3314
参考库存:40188
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ON Semiconductor
晶体管
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2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
参考库存:101496
CMST5086 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
45,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:181498
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