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晶体管
MRFE6VP6300HSR5参考图片

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MRFE6VP6300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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数量单价合计
50
¥733.9802
36699.01
100
¥682.6443
68264.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314385178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
800:¥3.0284
参考库存:28858
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
参考库存:28863
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 98 mOhm MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.6159
参考库存:28868
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
50:¥3,771.8496
参考库存:28873
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
4,000:¥0.95259
参考库存:26375
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