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晶体管
NVD5890NT4G-VF01参考图片

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NVD5890NT4G-VF01

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
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数量单价合计
2,500
¥6.6444
16611
5,000
¥6.3958
31979
10,000
¥6.1472
61472
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16.8 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,NVD5890NT4G-VF01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,400.5542
5:¥3,195.6174
参考库存:7381
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:39065
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39070
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:39075
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
5,000:¥4.181
10,000:¥4.0228
参考库存:39080
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