RN4990(T5L,F,T)详细参数_参考价格_RN4990(T5L,F,T) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	120, 120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN4990
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IGW75N60T	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A	1:¥51.4037 10:¥46.4882 25:¥44.2621 100:¥38.42	参考库存:3717
IKP20N65F5	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5	1:¥22.1254 10:¥18.7467 100:¥14.9838 500:¥13.1419	参考库存:3764
STN3N45K3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3	1:¥6.3732 10:¥5.2432 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 4,000:¥2.2939	参考库存:24831
AUIRFU4292	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, IPAK	1:¥11.6051 10:¥9.9101 100:¥7.6049 500:¥6.7574	参考库存:6243
BD237	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose	1:¥6.3732 10:¥5.4466 100:¥4.181 500:¥3.6951	参考库存:11280