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晶体管

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RM6N800LD-T

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数量单价合计
2,500
¥5.7743
14435.75
5,000
¥5.2658
26329
10,000
¥4.8138
48138
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
98 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,RM6N800LD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
5,000:¥1.3334
10,000:¥1.2543
25,000:¥1.1865
50,000:¥1.1526
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥1.4125
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
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晶体管
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1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
2,500:¥0.87575
10,000:¥0.81473
参考库存:359625
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 5.0mA 1.0Vgs 5.0Vds
1:¥26.9731
10:¥21.6734
100:¥17.8314
500:¥15.9782
参考库存:45951
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