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晶体管
IKW50N60T参考图片

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IKW50N60T

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 50A
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库存:6,437(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥43.7197
437.197
25
¥41.6518
1041.295
100
¥36.1939
3619.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60TFKSA1 IKW5N6TXK SP000054888
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW50N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥196.6313
5:¥187.7947
10:¥181.9526
25:¥167.2061
参考库存:5905
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
2,500:¥3.5934
参考库存:5632
晶体管
MOSFET 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥7.6049
10:¥6.3506
100:¥5.6274
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,000:¥3.1527
参考库存:50859
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥9.605
10:¥7.7631
100:¥6.8365
500:¥5.3675
1,000:¥4.2827
参考库存:41666
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0286
100:¥5.4014
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
2,500:¥3.7629
参考库存:17658
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