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晶体管
NTMFS5H610NLT1G参考图片

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NTMFS5H610NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T8 60V LOW COSS
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库存:16,447(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
1,000
¥4.7234
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
商品其它信息
优势价格,NTMFS5H610NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
1:¥3.2996
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.89157
参考库存:278926
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥9.6841
参考库存:19253
晶体管
MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.7461
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:22975
晶体管
MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9269
3,000:¥5.3449
6,000:查看
参考库存:18632
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:25094
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