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晶体管
APT75GP120B2G参考图片

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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
优势价格，APT75GP120B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK40E06N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC
1:¥8.4524
10:¥6.7574
100:¥5.9212
500:¥4.5878
参考库存:13634
DTA143XEFRATL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:19366
ZXMP6A18KTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V P-Channel 6.8A MOSFET
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:19258
NGTB15N120FL2WG
ON Semiconductor
晶体管
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1:¥32.883
10:¥27.9675
100:¥24.2837
250:¥22.9729
500:¥20.6677
参考库存:5350
DRC2523E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.2262
10:¥3.1075
100:¥1.9549
500:¥1.5707
3,000:¥1.243
9,000:查看
参考库存:26772
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