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晶体管
HN2C01FU-GR(T5L,F)参考图片

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HN2C01FU-GR(T5L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 50V, 0.15A US6
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN2C01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，HN2C01FU-GR(T5L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSV20200LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥3.7629
10:¥3.0849
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:19285
FMBM5401
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
1:¥3.1527
10:¥2.3956
100:¥1.2995
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.84524
参考库存:36417
BUJ100LR,412
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
参考库存:27719
KSC5019MTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
2,000:¥0.67574
参考库存:32906
DMP2065UFDB-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.5369
10:¥2.9493
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26093
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