您好！欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管
STP9N65M2参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

STP9N65M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *联系人：
  • *电话：
  • QQ：
  • *邮箱：
 公司名：  微信：
库存：8,444(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.2772
3638.6
1,000
¥6.0342
6034.2
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STP9N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.5 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP9N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LET9045STR
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:49302
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak
150:¥1,327.8743
参考库存:49307
PD85035STR-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
600:¥181.8057
参考库存:49312
VS-GB600AH120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:49317
CJD31C TR13
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Comp PWR Trans 100Vcbo 100Vceo 15W
2,500:¥4.5539
10,000:¥4.3844
参考库存:49322
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话：0755-82331103

手机：13048971103

传真：0755-82331102

Email：1531762882@qq.com

Q Q：

地址：深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号