GB100XCP12-227详细参数_参考价格_GB100XCP12-227 PDF资料_GeneSiC Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	GeneSiC Semiconductor
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	1.9 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
封装 / 箱体	SOT-227
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Bulk
系列	GB100XCP12
商标	GeneSiC Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	10
子类别	IGBTs
单位重量	30 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FQD7P20TM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V P-Channel QFET	1:¥6.6105 10:¥5.5144 100:¥3.5595 1,000:¥2.8476 2,500:¥2.5538	参考库存:82150
2N4392	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Chan JFET	1:¥20.905 10:¥18.6676 100:¥16.9839 250:¥15.368	参考库存:47037
TPW4R50ANH,L1Q	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V	1:¥22.5096 10:¥18.1365 100:¥16.2946 500:¥12.6786 5,000:¥9.4468 10,000:查看	参考库存:202304
AUIRFSA8409-7TRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 30 / 40	1:¥41.7196 10:¥35.5046 100:¥30.736 250:¥29.1992 800:¥22.0576 2,400:查看	参考库存:5456
BSP318SH6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3	1:¥5.6839 10:¥4.7686 100:¥3.0736 1,000:¥2.4634	参考库存:147228