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晶体管
SSM6P15FE(TE85L,F)参考图片

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SSM6P15FE(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.1357
21.357
100
¥1.01474
101.474
1,000
¥0.77631
776.31
4,000
¥0.64523
2580.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6P15
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
20 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
175 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6P15FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:13749
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:18191
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
24,000:¥0.71416
45,000:¥0.67574
参考库存:29022
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:34128
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:21680
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