NSBC123EDXV6T1G详细参数_参考价格_NSBC123EDXV6T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	8
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC123EDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	8
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FQI7N80TU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V N-Channel QFET	1:¥18.3625 10:¥15.594 100:¥12.5204 500:¥10.9158	参考库存:33669
BSP297H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3	1:¥6.0681 10:¥5.0624 100:¥3.2657 1,000:¥2.6103	参考库存:113273
AUIRFR5410TRL	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms	1:¥12.2944 10:¥10.4525 100:¥8.3733 500:¥7.3337 3,000:¥5.65 6,000:查看	参考库存:19355
IRF6217TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC	1:¥4.8364 10:¥4.0228 100:¥2.4634 1,000:¥1.8984 4,000:¥1.6159	参考库存:69982
IRFP048NPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC	1:¥13.5261 10:¥11.526 100:¥9.2208 500:¥8.0682 1,000:¥6.6896	参考库存:10744