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晶体管
IKD10N60RAATMA2参考图片

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IKD10N60RAATMA2

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数量单价合计
2,500
¥6.8591
17147.75
5,000
¥6.6105
33052.5
10,000
¥6.3506
63506
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD10N60RA SP001008648
商品其它信息
优势价格,IKD10N60RAATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 600V 15A Inverter for Mocion control
1:¥184.8793
5:¥183.0374
10:¥170.5848
25:¥162.9008
参考库存:2776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 32V 500MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:17388
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.808
100:¥0.76049
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.4068
参考库存:353985
晶体管
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1583
参考库存:3252
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:12764
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