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晶体管
SGD02N60参考图片

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SGD02N60

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
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库存:51,217(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.842
9605
10,000
¥3.7064
37064
25,000
¥3.5934
89835
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGD02N60
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
SGD02N60BUMA1 SGD2N6XT SP000011993
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SGD02N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:32512
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:53974
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:17771
晶体管
IGBT 模块 3 PHASE POWER BRIDGE
1:¥1,107.3435
5:¥1,085.591
10:¥1,034.9557
25:¥1,013.2936
参考库存:4293
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
参考库存:6775
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