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晶体管
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IPB020N04N G

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数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.6731
156.731
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9836
5491.8
1,000
¥9.0626
9062.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
140 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPB020N04NGATMA1 IPB2N4NGXT SP000359157
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB020N04N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTB114GC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:47388
DMP2008UFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-CH MOSFET
3,000:¥1.4803
参考库存:47393
SQM200N04-1M8_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥21.4361
10:¥17.8314
100:¥13.8312
500:¥12.0684
参考库存:47398
NVMFS5C466NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
1,500:¥2.0227
参考库存:47403
A2T18H160-24SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥693.4019
参考库存:47408
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