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晶体管
PSMN3R0-60ES,127参考图片

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PSMN3R0-60ES,127

  • Nexperia
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET
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数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
I2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
83.4 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
306 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，PSMN3R0-60ES,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221AL/TR
Microsemi
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128:¥113.113
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250:¥103.2707
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参考库存:40233
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥95.1234
250:¥86.7501
500:¥81.1453
1,000:¥74.4557
参考库存:40238
TPCC8102(TE12L,Q)
Toshiba
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MOSFET MOSFET -30V -15A
暂无价格
参考库存:40243
JAN2N2919
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥275.6974
250:¥257.2558
参考库存:40250
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