DTA014EUBTL详细参数_参考价格_DTA014EUBTL PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-3F-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	35
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 150 mV
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA014EUB
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 2.6 V
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA014EUB

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STW48N60DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package	1:¥59.4719 10:¥53.7089 25:¥51.2568 100:¥44.4881	参考库存:5507
SUD80460E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.	1:¥7.6049 10:¥6.0568 100:¥4.5991 500:¥3.7968	参考库存:9209
DMP3007SCG-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V	1:¥5.6839 10:¥4.7686 100:¥3.0736 1,000:¥2.4634 2,000:¥2.4634	参考库存:42521
IPD60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥11.526 10:¥9.831 100:¥7.5597 500:¥6.6896 1,000:¥5.2771 2,500:¥5.2771	参考库存:110468
DMPH6050SFGQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	1:¥6.3054 10:¥5.4353 100:¥4.1697 500:¥3.6838 1,000:¥2.9154 2,000:¥2.9154	参考库存:14715