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晶体管
STGW35HF60W参考图片

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STGW35HF60W

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Ultra Fast IGBT 35A 600V
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库存:4,187(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW35HF60W
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW35HF60W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:28500
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
参考库存:10097
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.9097
参考库存:18099
晶体管
MOSFET
1:¥78.6028
5:¥74.6139
10:¥71.8454
25:¥68.9978
参考库存:8551
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
5,000:¥8.5315
10,000:查看
参考库存:28511
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