您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
IRG4PF50WPBF参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IRG4PF50WPBF

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:7,040(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.8723
448.723
25
¥42.8044
1070.11
100
¥37.1092
3710.92
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
51 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
51 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533582
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PF50WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DISCRETES
400:¥54.5564
800:¥49.72
1,200:¥43.2564
参考库存:51582
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 SIPMOS
1,000:¥10.9158
2,000:¥10.3734
5,000:¥9.9892
参考库存:51587
晶体管
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
15,000:¥1.695
24,375:¥1.6498
参考库存:51592
晶体管
MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
参考库存:51597
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.215
1,000:¥4.9042
3,000:¥4.9042
参考库存:51602
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号