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晶体管
PD55003S-E参考图片

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PD55003S-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥96.5133
96.5133
10
¥88.7502
887.502
25
¥85.0664
2126.66
100
¥74.919
7491.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55003S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5595
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.5538
参考库存:82150
晶体管
JFET N-Chan JFET
1:¥20.905
10:¥18.6676
100:¥16.9839
250:¥15.368
参考库存:47037
晶体管
MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
1:¥22.5096
10:¥18.1365
100:¥16.2946
500:¥12.6786
5,000:¥9.4468
10,000:查看
参考库存:202304
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30 / 40
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
800:¥22.0576
2,400:查看
参考库存:5456
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:147228
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