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晶体管
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IPD025N06N

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数量单价合计
1
¥17.7523
17.7523
10
¥15.0629
150.629
100
¥12.0684
1206.84
500
¥10.5316
5265.8
2,500
¥8.1473
20368.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
83 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPD025N06NATMA1 IPD25N6NXT SP000988276
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD025N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMPB25ENEX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB25ENE/SOT1220/SOT1220
1:¥3.2996
10:¥2.7007
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
参考库存:21673
STB20NM60D
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
1:¥42.6462
10:¥36.273
100:¥31.4253
250:¥29.8094
1,000:¥22.5887
2,000:查看
参考库存:6270
NTMFS4H02NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 193A 1.4MO
1:¥28.5099
10:¥24.2046
100:¥21.0519
250:¥19.9784
5,000:¥13.8312
参考库存:21680
NTMFS5C604NLT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
1:¥29.2783
10:¥24.8939
100:¥21.5943
250:¥20.4417
5,000:¥14.1363
参考库存:21685
ADTC114YUAQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
参考库存:16282
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