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晶体管
TK22E10N1,S1X参考图片

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TK22E10N1,S1X

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
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库存:6,032(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4523
645.23
500
¥5.7065
2853.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
13.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK22E10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK22E10N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:25651
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:25656
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF5/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:25661
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:25666
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.9948
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,500:¥4.0906
参考库存:17663
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