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晶体管
PTFC262157FH-V1-R0参考图片

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PTFC262157FH-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:47,784(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥945.6744
47283.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288G-4/2
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFC262157FH-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 3.5Vgs 10Vds 20mA
111:¥59.0877
500:¥53.8671
1,000:¥46.8724
参考库存:33415
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5936
500:¥6.7122
参考库存:33420
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:33425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,147.8314
2:¥1,125.3218
5:¥1,087.7493
10:¥1,068.2342
参考库存:33430
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
1:¥729.3698
5:¥715.9906
10:¥683.7178
25:¥660.9822
参考库存:33435
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