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晶体管

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VS-GB100NH120N

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
833 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB100NH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥1.11418
参考库存:28380
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.04525
参考库存:28385
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms
1:¥34.804
10:¥29.5834
100:¥25.6623
250:¥24.3628
4,000:¥16.8257
参考库存:28390
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSP LOW VCES 30V NPN XTR
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:28395
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
50,000:¥0.33787
参考库存:28400
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