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晶体管
DMN2013UFDE-7参考图片

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DMN2013UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
3,000
¥1.2656
3796.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10.5 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
25.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
660 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2013
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
20.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66.4 ns
典型接通延迟时间
9.9 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格，DMN2013UFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT28F60S
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:28500
PD55003S-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
参考库存:10097
DMT2004UFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.9097
参考库存:18099
MSC280SMA120S
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥78.6028
5:¥74.6139
10:¥71.8454
25:¥68.9978
参考库存:8551
NTMFS5C426NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
5,000:¥8.5315
10,000:查看
参考库存:28511
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