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晶体管
DMT6008LFG-13参考图片

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DMT6008LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.65
56.5
100
¥3.6386
363.86
1,000
¥2.9154
2915.4
3,000
¥2.9154
8746.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
22.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMT60
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.4 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMT6008LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.616
10:¥2.9832
100:¥1.8193
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:18446
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:27106
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:27111
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
参考库存:13208
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:20710
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