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晶体管
NTS4101PT1G参考图片

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NTS4101PT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -20V -1.37A P-Channel
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库存:195,058(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.37 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
6.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
329 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTS4101P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.24 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,NTS4101PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 50A
1:¥392.8106
5:¥383.974
10:¥368.9902
25:¥357.08
参考库存:2454
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.6104
10:¥3.3561
100:¥2.1131
500:¥1.7063
3,000:¥1.3447
9,000:查看
参考库存:14751
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥8.9948
10:¥7.345
100:¥6.1133
500:¥4.7234
1,000:¥4.2601
参考库存:5098
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.2996
10:¥1.6046
100:¥1.10627
500:¥0.90626
10,000:¥0.52206
参考库存:52310
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 16A 250V FG
1:¥34.578
10:¥29.4252
100:¥25.5154
250:¥24.2046
参考库存:3317
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