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晶体管
STGW40V60F参考图片

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STGW40V60F

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.4307
264.307
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
参考库存:12621
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 40V 600MA
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,000:¥0.83733
参考库存:13178
晶体管
MOSFET Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
10,000:¥0.44522
20,000:查看
参考库存:97420
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
参考库存:3132
晶体管
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥26.2047
10:¥23.2102
100:¥19.0518
250:¥17.5941
参考库存:22229
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