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晶体管
MG1275W-XN2MM参考图片

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MG1275W-XN2MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 75A IGBT
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库存：40,856(价格仅供参考)
数量单价合计
60
¥901.1072
54066.432
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
368 W
封装 / 箱体
Package W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG1275W-XN2MM
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格，MG1275W-XN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD80N3LL
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:45539
DMT3006LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.0566
参考库存:45544
2N3495
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W
1:¥78.6028
10:¥77.7666
25:¥72.0036
100:¥66.1615
参考库存:7032
MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:45551
TC8020K6-G M937
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 6-Pair, N- and P-Ch Enhancement MOSFET
3,000:¥47.9459
参考库存:45556
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