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晶体管
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2N5550

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
140 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5550
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
封装
Bulk
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 20 at 50 mA, 5 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5550 PBFREE
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，2N5550的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTLUS3A18PZTCG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:21908
DTA115EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.99892
10:¥0.90626
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:91015
IGW50N65F5FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:5387
DDTC114YUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:76354
DTC143ZM3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.23052
24,000:查看
参考库存:117181
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