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晶体管
IGW50N65F5FKSA1参考图片

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IGW50N65F5FKSA1

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库存:5,387(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.1883
37.1883
10
¥31.5835
315.835
100
¥27.3573
2735.73
250
¥25.9674
6491.85
500
¥23.278
11639
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65F5 SP000973426
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW50N65F5FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:53649
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
参考库存:93651
晶体管
MOSFET 30V 14A 1.5W
1:¥11.2209
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥5.2206
3,000:¥4.9607
参考库存:24061
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:8658
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:24068
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