MUN5330DW1T1G详细参数_参考价格_MUN5330DW1T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5330DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	3 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFH5302TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC	1:¥8.2264 10:¥6.9947 100:¥5.3675 500:¥4.746 4,000:¥3.3222 8,000:查看	参考库存:27864
BSZ068N06NS	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥7.1416 10:¥6.1359 100:¥4.7121 500:¥4.1697 5,000:¥2.9154 10,000:查看	参考库存:25881
NTTFS4821NTAG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm	1:¥5.1528 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 1,500:¥1.8758	参考库存:31153
IRFS7430TRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC	1:¥20.8259 10:¥17.6732 100:¥15.2889 250:¥14.5205 500:¥13.0628 800:¥13.0628	参考库存:4035
IRFS3207ZTRRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg	1:¥21.2101 10:¥17.9783 100:¥15.594 250:¥14.7578 500:¥13.2888 800:¥13.2888	参考库存:9207