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晶体管
SBC856BDW1T3G参考图片

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SBC856BDW1T3G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V
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库存:65,810(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1357
21.357
100
¥0.91417
91.417
1,000
¥0.70738
707.38
10,000
¥0.47686
4768.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 65 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC856B
直流电流增益 hFE 最大值
475 at - 2 mA, - 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at - 2 mA, - 5 V
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,SBC856BDW1T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:46413
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
3,000:¥7.1642
6,000:查看
参考库存:54255
晶体管
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥7.2998
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:13587
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.3733
10:¥8.2264
25:¥6.9608
100:¥6.328
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:13759
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:10896
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