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晶体管
P60B6EN-5071参考图片

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P60B6EN-5071

  • Shindengen
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  • MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Shindengen
产品种类
MOSFET
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
商标
Shindengen
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,P60B6EN-5071的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥551.4852
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1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:9457
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