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晶体管
NSS30100LT1G参考图片

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NSS30100LT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Low VCEsat
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3165
23.165
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.94468
944.68
3,000
¥0.81473
2444.19
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS30100LT1G
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
Pd-功率耗散
310 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSS30100LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C025NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
5,000:¥1.5594
参考库存:21550
PMPB100ENEAX
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET SOT1220
暂无价格
参考库存:21555
RJK5035DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:21560
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
参考库存:21565
IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:21570
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