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晶体管
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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¥2,507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV40100F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM2312CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:91611
SI1967DH-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1526
参考库存:31808
P85W28HP2F-7071
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:3285
NTMFS5C442NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:17692
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
参考库存:28214
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